Bosch accelererer elbilrevolution med ny generation SiC-chips
Mere effektive og kompakte halvledere skal øge rækkevidden i elbiler – samtidig satser Bosch massivt på et milliardmarked i hastig vækst
Chips lavet af siliciumkarbid (SiC) er nøglen til at gøre elbiler mere effektive og øge deres rækkevidde. Foto: 123rf.com
Chips lavet af siliciumkarbid (SiC) er nøglen til at gøre elbiler mere effektive og øge deres rækkevidde. Bosch sætter nu afgørende skub i udviklingen: Virksomheden er begyndt at introducere tredje generation af siliciumkarbid-chips og leverer prøver til globale bilproducenter. Det betyder, at flere og flere elbiler i fremtiden vil være udstyret med Boschs avancerede tredje-generations SiC-chips.
"Siliciumkarbid-halvledere er de vigtigste drivkræfter for elektrisk mobilitet. De styrer energiflowet og gør det så effektivt som muligt. Med vores næste generation af SiC-chips udbygger vi systematisk vores teknologiske førerposition på dette område og hjælper vores kunder med at sende endnu mere kraftfulde og effektive elbiler på vejen. Vores ambition er klar: Vi vil være en globalt førende producent af SiC-chips", siger Dr. Markus Heyn, medlem af Boschs direktion og formand for forretningssektoren Bosch Mobility.
Bosch positionerer sig således på et lovende marked i kraftig vækst. Analyser fra markedsanalyse- og konsulentfirmaet Yole Intelligence* forudsiger, at det globale marked for SiC-effekthalvledere vil vokse fra 2,3 milliarder amerikanske dollars i 2023 til omkring 9,2 milliarder amerikanske dollars i 2029, primært drevet af elektrisk mobilitet.
Siliciumkarbid-halvledere skifter meget hurtigere og mere effektivt end konventionelle siliciumchips. De reducerer energitab og muliggør en højere effekttæthed i elektronikken. Boschs næste generation af halvledere tilbyder ikke kun en teknologisk fordel men også en økonomisk.
"Vores næste generations chips leverer 20 procent højere ydeevne og er også væsentligt mindre end den forrige generation. Denne miniaturisering er nøglen til større omkostningseffektivitet, da vi kan producere mange flere chips pr. wafer. Det betyder, at vi spiller en afgørende rolle i at gøre højtydende elektronik mere bredt tilgængelig", siger Heyn.
Bosch har allerede leveret mere end 60 millioner SiC-chips på verdensplan siden første generation gik i produktion i 2021.
I de seneste år har Bosch fremskyndet sit udviklingsarbejde for SiC-chips og samtidig øget sin produktions- og renrumskapacitet. Virksomheden har investeret omkring 3 milliarder euro i halvledere som en del af Europas IPCEI-finansieringsprogrammer (Important Projects of Common European Interest) for mikroelektronik og kommunikationsteknologi.
Boschs wafer-fabrik i Reutlingen, Tyskland, udvikler og producerer tredje generation af SiC-chips på moderne 200-millimeter wafers. I begyndelsen af 2025 erhvervede Bosch en anden fabrik til SiC-chip-produktion i Roseville, Californien, og er i øjeblikket ved at udstyre den med topmoderne, yderst komplekse produktionsfaciliteter. Virksomheden investerer yderligere 1,9 milliarder euro i den amerikanske fabrik, som vil producere og levere sine første SiC-chips i år – i første omgang som prøver til kundetest.
"I fremtiden vil Bosch levere sine innovative SiC-chips fra disse to fabrikker i Tyskland og USA”, siger Heyn.
Læs også: Ny lasermaskine sætter tempo på produktion af prototyper af metal
Dette vil skabe mere robuste og modstandsdygtige forsyningskæder i den hastigt voksende elektrificering af bilindustrien.
Bosch bruger unik produktionskompetence til at gøre sine chips både mindre og mere kraftfulde. Virksomheden har tilpasset sin ætseproces, som har eksisteret siden 1994 og er kendt i hele branchen som "Bosch-processen".
Oprindeligt udviklet til sensorer gør denne proces det muligt at fremstille højpræcisions vertikale strukturer i siliciumkarbid. Dette design øger i høj grad chippenes effekttæthed – en afgørende faktor for den overlegne ydeevne i tredje generation.
*Power SiC 2024 report, Yole Intelligence, 2024
Kilde: BOSCH
/ PiB
